Materiały – Katedra Przyrządów Półprzewodnikowych i Optoelektronicznych

Elektronika i TelekomunikacjaAutomatyka i RobotykaMechatronikaTransportInżynieria kosmiczna

Przedmioty studiów stacjonarnych I stopnia:

Przedmiot	Studia	Sem.	Forma
Elektronika w pojazdach 01 – Wprowadzenie 02 – Półprzewodniki w pojazdach 03 – Magistrale 04 – Diagnostyka w pojazdach 05 – Bezpieczeństwo czynne 06 – Bezpieczeństwo bierne 07 – Oświetlenie i komfort 08 – Napędy i paliwa alternatywne	studia stacjonarne I stopnia		W
Elektronika wysokotemperaturowa Elektronika wysokotemperaturowa	studia stacjonarne I stopnia		W
Metrologia elektryczna i elektroniczna Ćwiczenie 1 Ćwiczenie 2 Ćwiczenie 3 Ćwiczenie 4 Ćwiczenie 5	studia stacjonarne I stopnia	2	L
Metrologia elektroniczna Ćwiczenie 1 Ćwiczenie 2 Ćwiczenie 3 Ćwiczenie 4 Ćwiczenie 5	studia stacjonarne I stopnia	3	L
Metrologia elektroniczna Ćwiczenie 1 Ćwiczenie 2 Ćwiczenie 3 Ćwiczenie 4 Ćwiczenie 5 Ćwiczenie 6 Ćwiczenie 7	studia stacjonarne I stopnia - IFE	3	L
Przyrządy półprzewodnikowe 01 – Pomiary parametrów diod półprzewodnikowych. 02 – Charakterystyki tranzystorów bipolarnych (BJT) – nowa wersja 02 – Pomiary parametrów tranzystorów bipolarnych. 03 – Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET. 04 – Układy scalone cyfrowe CMOS. 05 – Sonda czteroostrzowa. 06 – Pomiary elipsometryczne warstw dielektrycznych. 07 – Osadzanie próżniowe z fazy lotnej. Metalizacja płytek krzemowych. 08 – Fotolitografia.	studia stacjonarne I stopnia	3	L
Przyrządy półprzewodnikowe 01 – Diody 02 – Charakterystyki tranzystorów bipolarnych (BJT) 03 – Parametry statyczne tranzystorów FET (JFET i MOSFET) 04 – Cyfrowe układy scalone CMOS 05 – Termiczne utlenianie podłoży krzemowych. Elipsometryczne pomiary grubości tlenku. 06 – Fotolitografia. 07 – PVD.	studia stacjonarne I stopnia - IFE	3	L
Przyrządy półprzewodnikowe Przyrządy półprzewodnikowe cz.1 Przyrządy półprzewodnikowe cz.2 Przyrządy półprzewodnikowe cz.3 Przyrządy półprzewodnikowe cz.4 Przyrządy półprzewodnikowe cz.5	studia stacjonarne I stopnia	3	W
Przyrządy półprzewodnikowe Przyrządy półprzewodnikowe cz.1 Przyrządy półprzewodnikowe cz.2 Przyrządy półprzewodnikowe cz.3 Przyrządy półprzewodnikowe cz.4 Przyrządy półprzewodnikowe cz.5	studia stacjonarne I stopnia - IFE	3	W
Metrologia elektroniczna Metrologia elektroniczna – cz.1	studia stacjonarne I stopnia - IFE	3	W
Optoelektronika 01 – Wykonanie złącz światłowodowych. 02 – Badanie strat odbiciowych i własnych wybranych patchordów światłowodów 03 – Pomiar wpływu makrozgięć światłowodów włóknistych na ich tłumienność 04 – Badanie tłumienności światłowodów włóknistych 05 – Badanie zjawisk optycznych przy użyciu zestawu Laser Kit 06 – Badanie wyspowej instalacji fotowoltaicznej 07 – Energooszczędne źródła światła 08 – Konfiguracja modułu fotowoltaicznego 09 – Badanie emiterów promieniowania optycznego 10 – Badanie detektorów promieniowania optycznego	studia stacjonarne I stopnia	5	L
Optoelektronika 01 – Wykonanie złącz światłowodowych. 02 – Badanie strat odbiciowych i własnych wybranych patchordów światłowodów 03 – Pomiar wpływu makrozgięć światłowodów włóknistych na ich tłumienność 04 – Badanie tłumienności światłowodów włóknistych 05 – Badanie zjawisk optycznych przy użyciu zestawu Laser Kit 06 – Badanie wyspowej instalacji fotowoltaicznej 07 – Energooszczędne źródła światła 08 – Konfiguracja modułu fotowoltaicznego 09 – Badanie emiterów promieniowania optycznego 10 – Badanie detektorów promieniowania optycznego	studia stacjonarne I stopnia - IFE	5	L
Inżynieria materiałowa i konstrukcja sprzętu Wykład – część I Wykład – część II	studia stacjonarne I stopnia - IFE	5	W
Inżynieria materiałowa i konstrukcja sprzętu Wykład – część I Wykład – część II	studia stacjonarne I stopnia	5	W

Przedmioty studiów niestacjonarnych I stopnia:

Przedmiot	Studia	Sem.	Forma
Elektronika wysokotemperaturowa Elektronika wysokotemperaturowa	studia niestacjonarne I stopnia		W
Przyrządy półprzewodnikowe 01 – Pomiary parametrów diod półprzewodnikowych. 02 – Pomiary parametrów tranzystorów bipolarnych. 03 – Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET. 04 – Układy scalone cyfrowe CMOS.	studia niestacjonarne I stopnia	3	L
Inżynieria materiałowa i konstrukcja sprzętu Wykład – część 1 Wykład – część 2	studia niestacjonarne I stopnia	6	W

Przedmioty studiów jednorodnych:

Przedmiot	Studia	Sem.	Forma
Projektowanie i technologia układów hybrydowych 01 – Wykonywanie połączeń drutowych metodą zgrzewania ultradźwiękowego 02 – Metody układania elementów w technologii SMT (Surface Mount Technology) 03 – Metoda lutowania rozpływowego 04 – Montaż i testowanie płytek wykonanych w technologii SMT 05 – Wykonanie rezystorów w technologii hybrydowej 06 – Wykonanie kondensatorów w technologii hybrydowej 07 – Wykonanie elementów indukcyjnych w technologii hybrydowej	studia jednorodne - magisterskie	7	L
Konstrukcja sprzętu elektronicznego Konstrukcja Sprzętu Elektronicznego cz.2	studia jednorodne - magisterskie	7	W
Niekonwencjonalne źródła energii 01 – Pomiar charkterystyk jasnych i ciemnych ogniw słonecznych różnych typów 02 – Badanie instalacji fotowoltaicznej z akumulatorem 03 – Badanie instalacji fotowoltaicznej AC o parametrach sieciowych 04 – Badanie różnych konfiguracji modułów fotowoltaicznych 05 – Energooszczędność ? weryfikacja wydajności różnych typów źródeł światła	studia jednorodne - magisterskie	9	L

Przedmioty studiów stacjonarnych I stopnia:

Przedmiot	Studia	Sem.	Forma
Wstęp do elektroniki 01 – Parametry statyczne diod półprzewodnikowych 02 – Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych 03 – Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnych 04 – Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET 05 – Badanie zasilaczy i stabilizatorów napięcia stałego	studia stacjonarne I stopnia	2	L
Wstęp do elektroniki Wstęp do elektroniki – wykład	studia stacjonarne I stopnia	2	W

Przedmioty studiów niestacjonarnych I stopnia:

Przedmiot	Studia	Sem.	Forma
Wstęp do elektroniki 01 – Parametry statyczne diod półprzewodnikowych 02 – Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych 03 – Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnych 04 – Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET	studia niestacjonarne I stopnia	2	L
Konstrukcja aparatury elektronicznej Konstrukcja aparatury elektronicznej – 01 Konstrukcja aparatury elektronicznej – 02 Konstrukcja aparatury elektronicznej – 03 Konstrukcja aparatury elektronicznej – 04	studia niestacjonarne I stopnia	7	W

Przedmioty studiów stacjonarnych I stopnia:

Przedmiot	Studia	Sem.	Forma
Metrologia elektryczna i elektroniczna Ćwiczenie 1 Ćwiczenie 2 Ćwiczenie 3 Ćwiczenie 4 Ćwiczenie 5	studia stacjonarne I stopnia	2	L
Podstawy elektroniki Podstawy elektroniki	studia stacjonarne I stopnia	2	L
Inżynieria materiałowa 2 Instrukcja obsługi pieca do lutowania rozpływowego MR10 – umieszczona za zgodą Mechatronika sp.j.	studia stacjonarne I stopnia	2	L
Inżynieria materiałowa 2 Wykład 1 – część 1 Wykład 1 – część 2	studia stacjonarne I stopnia	2	W
Wstęp do elektroniki Wstęp do elektroniki – wykład	studia stacjonarne I stopnia	2	W
Inżynieria wytwarzania 01 – Sonda czteroostrzowa 02 – Pomiary elipsometryczne warstw dielektrycznych 03 – Osadzanie próżniowe z fazy lotnej, metalizacja 04 – Fotolitografia 05 – Ogniwo fotowoltaiczne	studia stacjonarne I stopnia	3	L
Sensory i aktuatory Ćwiczenia 7-10	studia stacjonarne I stopnia	3	L
Elementy i układy sterowania mocy Elementy i układy sterowania mocy	studia stacjonarne I stopnia	6	W

Przedmioty studiów stacjonarnych II stopnia:

Przedmiot	Studia	Sem.	Forma
Podstawy elektroniki 01 – Własności dynamiczne diod półprzewodnikowych 02 – Układy cyfrowe CMOS 03 – Zasilacze i stabilizatory napięcia 04 – Wzmacniacz różnicowy 05 – Badanie przerzutników	studia stacjonarne II stopnia	1	L
Podstawy elektroniki Podstawy elektroniki	studia stacjonarne II stopnia	1	W
Zagadnienia termiczne w systemach mechatronicznych Zagadnienia termiczne w systemach mechatronicznych – I	studia stacjonarne II stopnia	3	W

Przedmioty studiów niestacjonarnych I stopnia:

Wstęp do elektroniki

01 – Parametry statyczne diod półprzewodnikowych
02 – Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych
03 – Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnych
04 – Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET
05 – Badanie zasilaczy i stabilizatorów napięcia stałego

studia niestacjonarne I stopnia

Przedmioty studiów stacjonarnych I stopnia:

Przedmiot	Studia	Sem.	Forma
Elektronika 01 – Parametry statyczne diod półprzewodnikowych 02 – Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych 03 – Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnych 04 – Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET 05 – Badanie zasilaczy i stabilizatorów napięcia stałego	studia stacjonarne I stopnia	4	L
Elektronika Podstawy elektroniki	studia stacjonarne I stopnia	4	W

Przedmioty studiów niestacjonarnych I stopnia:

Przedmiot	Studia	Sem.	Forma
Elektronika 01 – Parametry statyczne diod półprzewodnikowych 02 – Parametry statyczne tranzystorów bipolarnych 03 – Wybór i stabilizacja punktu pracy tranzystorów bipolarnych 04 – Parametry statyczne tranzystorów polowych JFET i MOSFET 05 – Badanie zasilaczy i stabilizatorów napięcia stałego	studia niestacjonarne I stopnia	5	L